III-V族金屬氮化物基半導(dǎo)體非常適合制造UV輻射源。 以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，復(fù)合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED的有源層僅由GaN或AlGaN組成，則其UV輻射效率非常低，因?yàn)殡娮雍涂昭ㄖg的復(fù)合是非輻射復(fù)合。 如果在該層中摻雜了少量的金屬In，則有源層的局部能級(jí)將發(fā)生變化。 此時(shí)，電子和空穴將發(fā)生輻射復(fù)合。 因此，當(dāng)有源層中摻雜有金屬銦時(shí)，在380nm處的輻射效率比未摻雜時(shí)高19倍。III-V族金屬氮化物基半導(dǎo)體非常適合制造UV輻射源。 以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，復(fù)合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED的有源層僅由GaN或AlGaN組成，則其UV輻射效率非常低，因?yàn)殡娮雍涂昭ㄖg的復(fù)合是非輻射復(fù)合。 如果在該層中摻雜了少量的金屬In，則有源層的局部能級(jí)將發(fā)生變化。 此時(shí)，電子和空穴將發(fā)生輻射復(fù)合。 因此，當(dāng)有源層中摻雜有金屬銦時(shí)，在380nm處的輻射效率比未摻雜時(shí)高19倍。傳統(tǒng)的汞燈固化機(jī)使用汞燈發(fā)光，燈泡中有汞，廢棄產(chǎn)品的處理和運(yùn)輸非常麻煩，處理不當(dāng)會(huì)對(duì)環(huán)境造成嚴(yán)重污染。而LED固化機(jī)使用半導(dǎo)體發(fā)光，沒有環(huán)境污染。所以用LED固化機(jī)更環(huán)保。超高照度
采用大功率LED芯片和特殊的光學(xué)設(shè)計(jì)，使UV達(dá)到高精度和高強(qiáng)度照射； UV輸出達(dá)到8600mW / m2的照射強(qiáng)度。 使用最新的光學(xué)技術(shù)和制造工藝，與傳統(tǒng)的水銀燈照射方法相比，它實(shí)現(xiàn)了更高的強(qiáng)度輸出和均勻性，并且比傳統(tǒng)的水銀燈照射方法的光度高出幾乎兩倍，從而使UV粘合劑固化速度更快， 縮短生產(chǎn)時(shí)間大大提高了生產(chǎn)效率。
傳統(tǒng)汞燈方法點(diǎn)光源當(dāng)固化機(jī)增加照射通道時(shí)，通道的增加將導(dǎo)致單個(gè)照射通道的輸出能量降低。 對(duì)于LED型照射，每個(gè)照射頭獨(dú)立地發(fā)光，并且照射能量不受通道增加的影響，并且始終保持在最大值。
與汞燈相比，UV   LED由于其超集中的照度而縮短了操作的照射時(shí)間并提高了生產(chǎn)效率。
低能耗
UV  LED方式有效發(fā)光效率是水銀燈方法的10倍以上。
同時(shí)，無論汞燈是否有效，都需要持續(xù)點(diǎn)亮汞燈，并且總是要消耗電力。UV  LED方式僅在被輻射時(shí)消耗功率，而待機(jī)時(shí)的功率消耗幾乎為零。 可以進(jìn)行簡(jiǎn)單的計(jì)算。 每臺(tái)點(diǎn)光源固化機(jī)節(jié)省的電能：270（瓦特）* 8（小時(shí)）* 365（天）= 800（千瓦小時(shí)）
可以看出，每臺(tái)設(shè)備每年僅消耗幾千美元 節(jié)省電費(fèi)。 不僅如此，通過節(jié)電，每輛汽車每年可以間接減少二氧化碳排放1.4噸，這相當(dāng)于汽車的年排量。
維護(hù)成本
維護(hù)成本幾乎為零，使用UV   LED固化設(shè)備每年可節(jié)省至少10,000元/套耗材。
UV   LED問題
UV  LED光源作為一種新技術(shù)，目前還存在一些問題： 
（1）由于UV   LED而導(dǎo)致 由于技術(shù)是由國(guó)外控制的，所以目前國(guó)內(nèi)的UV   LED燈的價(jià)格比較高； 
（2）由于技術(shù)特性的限制，目前的UV   LED燈的光強(qiáng)度不是很高，以致在一定程度上影響固化速度。

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